반도체소자 솔루션 Donald A. Neamen 이진구 공역 / Mcgraw Hill 등록

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반도체소자 솔루션 Donald A. Neamen 이진구 공역 / Mcgraw Hill

반도체 소자공학 , Donald A. Neamen 이진구 공역 / Mcgraw Hill

Semiconductor Physics and Devices: Basic Principles, 3rd edition Solutions Manual

Chapter 1 Problem Solutions

Chapter 1
Problem Solutions
1.1 (a) fcc: 8 corner atoms × 1/8 = 1 atom 6 face atoms × ½ = 3 atoms Total of 4 atoms per unit cell (b) bcc: 8 corner atoms × 1/8 = 1 atom 1 enclosed atom = 1 atom Total of 2 atoms per unit cell (c) Diamond: 8 corner atoms × 1/8 = 1 atom 6 face atoms × ½ = 3 atoms 4 enclosed atoms = 4 atoms Total of 8 atoms per unit cell 1.2 (a) 4 Ga atoms per unit cell Density = 4 atoms per cell, so atom vol. = 4 Then 4 Ratio =

FG 4πr IJ H3K
3

16 2 r (c) Body-centered cubic lattice 4 d = 4r = a 3 ⇒ a = r 3 Unit cell vol. = a =
3

FG 4πr IJ H 3 K × 100% ⇒
3 3

Ratio = 74%

F 4 rI H 3K

3

2 atoms per cell, so atom vol. = 2 Then

FG 4πr IJ H3K
3

b

4
?8

5.65 x10

g

3

⇒
22 ?3

Density of Ga = 2.22 x10 cm
22

4 As atoms per unit cell, so that Density of As = 2.22 x10 cm (b) 8 Ge atoms per unit cell 8 ⇒

[1]

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자료출처 : http://www.ALLReport.co.kr/search/detail.asp?pk=11040413&sid=qjfRnf777&key=



[문서정보]

문서분량 : 150 Page
파일종류 : PDF 파일
자료제목 :
파일이름 : 반도체소자_솔루션.pdf
키워드 : 반도체,소자공학,Donald,A,Neamen,이진구,공역,반도체소자,솔루션,/


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